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山東力冠微電子裝備

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SiC高溫氧化爐

專用于SiC晶圓的高溫氧化工藝,可實現(xiàn)晶圓片高溫真空環(huán)境下完成氧化工藝。可使用O2,N2O,NO,NO2或濕法氧化,采用無金屬加熱和真空裝備。 適用工藝:氧化

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